M29W160FB70N3E vs M29W800FT70ZA3SE तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W160FB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W800FT70ZA3SE द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W160FB70N3E M29W800FT70ZA3SE
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
मेमोरी आकार 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 8 Mbit
Access Time 70 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
पैकेज / केस 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
संगठन — 512K x 16
Technology — SLC
सप्लाई वोल्टेज — 2.7 V to 3.6 V
पैकेज — 48-TFBGA (6x8 mm)
Programming Interface — CFI command set
Boot Block Architecture — Top boot (FT = top boot block)
Density — 8 Mb
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

डेटाशीट और संसाधन

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