M29W400FT55N3E vs M29W800FB70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FT55N3E بواسطة Micron Technology و M29W800FB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FT55N3E M29W800FB70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Flash - NOR Memory IC NOR Flash
حجم الذاكرة 4 Mbit —
الواجهة Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) up to 3.6 V for program, erase and read
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
العلبة 48-TSOP I 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
التنظيم — 512K x 16 / 1M x 8
عرض ناقل البيانات — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
عدد الأطراف — 48
حالة RoHS — RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر