M29W400FT55N3E vs M29W800FB70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W400FT55N3E بذریعہ Micron Technology اور M29W800FB70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W400FT55N3E M29W800FB70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ Flash - NOR Memory IC NOR Flash
میموری سائز 4 Mbit —
انٹرفیس Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) up to 3.6 V for program, erase and read
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
پیکیج 48-TSOP I 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
نمی حساسیت کی سطح (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
تنظیم — 512K x 16 / 1M x 8
ڈیٹا بس چوڑائی — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
پن کی تعداد — 48
RoHS اسٹیٹس — RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں