M29W400FT55N3E vs M29W800FB70N3E 比較

詳細並排比較 M29W400FT55N3E 由 Micron Technology 與 M29W800FB70N3E 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ 啟用中
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ 啟用中

規格比較

參數 M29W400FT55N3E M29W800FB70N3E
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 Flash - NOR Memory IC NOR Flash
記憶體容量 4 Mbit —
介面 Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) up to 3.6 V for program, erase and read
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
工作溫度 -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
封裝 48-TSOP I 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
濕度敏感等級 (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
組織 — 512K x 16 / 1M x 8
資料匯流排寬度 — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
腳位數 — 48
RoHS 狀態 — RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

資料表與資源

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