M29W400FT55N3E vs M29W800FB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W400FT55N3E tarafından Micron Technology ve M29W800FB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W400FT55N3E M29W800FB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Flash - NOR Memory IC NOR Flash
Bellek Boyutu 4 Mbit —
Arayüz Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) up to 3.6 V for program, erase and read
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
Paket 48-TSOP I 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
Organizasyon — 512K x 16 / 1M x 8
Veri Bus Genişliği — x8/x16 (BYTE# selectable)
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
Pin Sayısı — 48
RoHS Durumu — RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin