M29W800FB70N3E vs M29W400FT55N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W400FT55N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FB70N3E M29W400FT55N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash Flash - NOR Memory IC
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
التنظيم 512K x 16 / 1M x 8 —
عرض ناقل البيانات x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
الواجهة Parallel Parallel
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I
عدد الأطراف 48 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) —
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
حجم الذاكرة — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Tray
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر