M29W800FB70N3E vs M29W400FT55N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W400FT55N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W800FB70N3E M29W400FT55N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash Flash - NOR Memory IC
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
संगठन 512K x 16 / 1M x 8 —
डेटा बस चौड़ाई x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
पैकेज 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I
पिन काउंट 48 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति RoHS compliant (plastic TSOP-48) —
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
मेमोरी आकार — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Tray
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

डेटाशीट और संसाधन

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