M29W800FB70N3E vs M29W400FT55N3E 比較

詳細並排比較 M29W800FB70N3E 由 Micron Technology 與 M29W400FT55N3E 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ 啟用中
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M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ 啟用中

規格比較

參數 M29W800FB70N3E M29W400FT55N3E
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 NOR Flash Flash - NOR Memory IC
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
組織 512K x 16 / 1M x 8 —
資料匯流排寬度 x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
介面 Parallel Parallel
工作溫度 -40C to +125C -40C to +125C
封裝 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I
腳位數 48 —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 狀態 RoHS compliant (plastic TSOP-48) —
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
記憶體容量 — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
濕度敏感等級 (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Tray
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

資料表與資源

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