M29W800FB70N3E vs M29W400FT55N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W800FB70N3E tarafından Micron Technology ve M29W400FT55N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W800FB70N3E M29W400FT55N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash Flash - NOR Memory IC
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
Organizasyon 512K x 16 / 1M x 8 —
Veri Bus Genişliği x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
Arayüz Parallel Parallel
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I
Pin Sayısı 48 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu RoHS compliant (plastic TSOP-48) —
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Bellek Boyutu — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Tray
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin