M29W800FT70ZA3SE vs M29W160ET70N3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FT70ZA3SE بواسطة Micron Technology و M29W160ET70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ نشط
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FT70ZA3SE M29W160ET70N3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
حجم الذاكرة 8 Mbit 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
التنظيم 512K x 16 —
Technology SLC CMOS
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel —
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 3 V / 3.3 V
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 48-TFBGA (6x8 mm) 48-pin TSOP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set Parallel command set
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) Top boot
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS-compliant package (F option)
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape and Reel
Number of Terminals — 48

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر