M29W800FT70ZA3SE vs M29W160FB70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FT70ZA3SE بواسطة Micron Technology و M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded
M29W800FT70ZA3SE ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29W800FT70ZA3SE | M29W160FB70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | EEPROM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash (Parallel) | FLASH - NOR |
| حجم الذاكرة | 8 Mbit | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| التنظيم | 512K x 16 | — |
| Technology | SLC | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| جهد التغذية | 2.7 V to 3.6 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 48-TFBGA (6x8 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Interface | CFI command set | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT = top boot block) | — |
| Density | 8 Mb | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA code] | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 3.0 V to 3.6 V |
| Programming Voltage | — | Single supply (no separate VPP required) |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Architecture | — | Boot block |
| العلبة / الحالة | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Status Output | — | Data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes (boot block protection) |