M29W800FT70ZA3SE vs M29W160FB70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FT70ZA3SE بواسطة Micron Technology و M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ نشط
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FT70ZA3SE M29W160FB70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) FLASH - NOR
حجم الذاكرة 8 Mbit 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
التنظيم 512K x 16 —
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel Parallel
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 48-TFBGA (6x8 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Architecture — Boot block
العلبة / الحالة — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر