M29W800FT70ZA3SE vs M29W160FB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W800FT70ZA3SE tarafından Micron Technology ve M29W160FB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Aktif
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W800FT70ZA3SE M29W160FB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash (Parallel) FLASH - NOR
Bellek Boyutu 8 Mbit 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Organizasyon 512K x 16 —
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
Arayüz Parallel Parallel
Besleme Gerilimi 2.7 V to 3.6 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 48-TFBGA (6x8 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Architecture — Boot block
Paket / Kas — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin