M29W800FT70ZA3SE vs M29W160FB70N3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W800FT70ZA3SE নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W160FB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W800FT70ZA3SE M29W160FB70N3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি EEPROM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash (Parallel) FLASH - NOR
মেমরি সাইজ 8 Mbit 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
সংগঠন 512K x 16 —
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
ইন্টারফেস Parallel Parallel
সাপ্লাই ভোল্টেজ 2.7 V to 3.6 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
প্যাকেজ 48-TFBGA (6x8 mm) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Architecture — Boot block
প্যাকেজ / কেস — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট