MPX2010D vs MPX2102D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPX2010D بواسطة STMicroelectronics و MPX2102D بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل MPX2010D MPX2102D
العلامة التجارية STMicroelectronics NXP Semiconductors
الفئة Pressure Sensors Pressure Sensors
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
Pressure Type Differential (Port 1 vs Port 2) Differential
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) —
Maximum Overpressure [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] —
نوع الخرج Analog Wheatstone Bridge (mV) Wheatstone Bridge (Analog Voltage)
Output Voltage Span 0 mV to 25 mV at 10V excitation —
Sensitivity 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation) —
Excitation Voltage 10 V (typical), 16 V (maximum) —
Linearity 0.1% of full-scale (typical) —
نطاق درجة حرارة التشغيل 0 C to +85 C —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
العلبة / الحالة 4-SIP Module (Case 344-15) 4-SIP Module
نوع التركيب Through-Hole Through Hole
عدد الدبابيس 4 —
On-Chip Temperature Compensation Yes (laser trimmed) —
Bridge Configuration 4-arm piezoresistive Wheatstone —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet] —
Sensor Family MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010 —
Diaphragm Type Single monolithic silicon —
Operating Pressure — 14.5 PSI (100 kPa)
جهد الخرج — 0 mV to 40 mV (at 10 V supply)
جهد التغذية — 10 V typical
Port Size — Female, 0.136 in (3.4544 mm)
Termination Style — Through-Hole PCB
Applications — Board Mount
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C (per NXP MPX2102 series datasheet)
Compensated Temperature — 0 C to +85 C
Housing / Body Style — Unibody Plastic (Round)
Technology — Piezoresistive Silicon MEMS
Series — MPX2102
Packaging — Tray
Product Status — Obsolete (per distributor listings)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر