MPX2010D vs MPX2102D Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MPX2010D tarafından STMicroelectronics ve MPX2102D tarafından NXP SemiconductorsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre MPX2010D MPX2102D
Marka STMicroelectronics NXP Semiconductors
Kategori Pressure Sensors Pressure Sensors
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Obsolete
Pressure Type Differential (Port 1 vs Port 2) Differential
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) —
Maximum Overpressure [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] —
Çıkış Türü Analog Wheatstone Bridge (mV) Wheatstone Bridge (Analog Voltage)
Output Voltage Span 0 mV to 25 mV at 10V excitation —
Sensitivity 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation) —
Excitation Voltage 10 V (typical), 16 V (maximum) —
Linearity 0.1% of full-scale (typical) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı 0 C to +85 C —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
Paket / Kas 4-SIP Module (Case 344-15) 4-SIP Module
Montaj Türü Through-Hole Through Hole
Pin Sayısı 4 —
On-Chip Temperature Compensation Yes (laser trimmed) —
Bridge Configuration 4-arm piezoresistive Wheatstone —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet] —
Sensor Family MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010 —
Diaphragm Type Single monolithic silicon —
Operating Pressure — 14.5 PSI (100 kPa)
Çıkış Gerilimi — 0 mV to 40 mV (at 10 V supply)
Besleme Gerilimi — 10 V typical
Port Size — Female, 0.136 in (3.4544 mm)
Termination Style — Through-Hole PCB
Applications — Board Mount
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C (per NXP MPX2102 series datasheet)
Compensated Temperature — 0 C to +85 C
Housing / Body Style — Unibody Plastic (Round)
Technology — Piezoresistive Silicon MEMS
Series — MPX2102
Packaging — Tray
Product Status — Obsolete (per distributor listings)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin