MPX2010D vs MPX2102D השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MPX2010D מאת STMicroelectronics ו MPX2102D מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר MPX2010D MPX2102D
מותג STMicroelectronics NXP Semiconductors
קטגוריה Pressure Sensors Pressure Sensors
סטטוס מחזור חיים פעיל Obsolete
Pressure Type Differential (Port 1 vs Port 2) Differential
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) —
Maximum Overpressure [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] —
סוג פלט Analog Wheatstone Bridge (mV) Wheatstone Bridge (Analog Voltage)
Output Voltage Span 0 mV to 25 mV at 10V excitation —
Sensitivity 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation) —
Excitation Voltage 10 V (typical), 16 V (maximum) —
Linearity 0.1% of full-scale (typical) —
טווח טמפרטורת פעולה 0 C to +85 C —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temperature range] —
מארז / Case 4-SIP Module (Case 344-15) 4-SIP Module
סוג הרכבה Through-Hole Through Hole
מספר פינים 4 —
On-Chip Temperature Compensation Yes (laser trimmed) —
Bridge Configuration 4-arm piezoresistive Wheatstone —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet] —
Sensor Family MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010 —
Diaphragm Type Single monolithic silicon —
Operating Pressure — 14.5 PSI (100 kPa)
מתח פלט — 0 mV to 40 mV (at 10 V supply)
מתח אספקה — 10 V typical
Port Size — Female, 0.136 in (3.4544 mm)
Termination Style — Through-Hole PCB
Applications — Board Mount
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C (per NXP MPX2102 series datasheet)
Compensated Temperature — 0 C to +85 C
Housing / Body Style — Unibody Plastic (Round)
Technology — Piezoresistive Silicon MEMS
Series — MPX2102
Packaging — Tray
Product Status — Obsolete (per distributor listings)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר