MRF5S4140HR3 vs MRF5S9101NR1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF5S4140HR3 بواسطة NXP Semiconductors و MRF5S9101NR1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HR3 - 465MHz 28V 28W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S4140HR3 - 465MHz 28V 28W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S4140HR3 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NR1 - 100W, 869-960MHz RF Power LDMOS | NXP Semiconductors

MRF5S9101NR1 - 100W, 869-960MHz RF Power LDMOS | NXP Semiconductors

MRF5S9101NR1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF5S4140HR3 MRF5S9101NR1
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Band 400-500 MHz —
Test Frequency 465 MHz 960 MHz
Typical Output Power 28 W avg. —
Power Gain 21 dB at 465 MHz 17.5 dB (typ at 960 MHz, 26 V, 700 mA)
Operating Drain Voltage 28 V typical —
Drain-Source Voltage (Max) 65 V —
DC Bias Current (Id) 1.25 A typical —
Configuration Single, common-source —
Maximum Power Dissipation 427 W absolute (per partstack profile) —
العلبة NI-780H-2L (ceramic flange mount) —
نمط التركيب Flange mount, surface-mount leads —
Input Matching Internal, broadband —
Operating Mode Class AB, large-signal —
Application Single N-CDMA base station PA, 450 MHz band GSM / GSM EDGE base station PAs, 869–960 MHz
حالة RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status not in web data] —
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status not in web data] —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MRF5S9101NR1
Frequency Range — 869 MHz to 960 MHz
Output Power (P1dB) — 100 W (typ)
Drain Supply Voltage (Vdd) — 26 V (nominal), 28 V (max operating)
Drain Breakdown Voltage (Vdss) — 68 V
Quiescent Current (Idq) — 700 mA
Drain Current (Test) — 700 mA
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Junction Temperature (Max) — 200 °C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
العلبة / الحالة — TO-270 WB-4 (CASE 1486-03), STYLE 1, plastic overmold
نوع التركيب — Surface / Flange Mount (through-board thermal pad)
Lead-Free / RoHS — Lead-free (N suffix indicates lead-free transition)
Thermal Resistance (junction-to-case) — [DATA_NEEDED: theta_JC]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر