MRF6S27085HR3 vs MRF6S19100HR3 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF6S27085HR3 بواسطة NXP Semiconductors و MRF6S19100HR3 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF6S27085HR3 MRF6S27085HR3 - 20W RF Power MOSFET, 2.6-2.7GHz, 28V LDMOS

MRF6S27085HR3 - 20W RF Power MOSFET, 2.6-2.7GHz, 28V LDMOS

MRF6S27085HR3 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF6S27085HR3 MRF6S19100HR3
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number MRF6S27085HR3 MRF6S19100HR3
نوع الترانزستور LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral —
Application RF Power Amplifier —
Operating Frequency 2600 MHz to 2700 MHz —
Test Frequency 2.66 GHz —
Output Power (Average, P1dB-rated) 20 W —
Power Gain (Typ) 15.5 dB —
Drain-Source Voltage Rating 68 V —
Operating Drain Voltage 28 V —
Quiescent Bias Current (Test) 900 mA —
العلبة / الحالة NI-780H-2L (CASE 465-06, STYLE 1), ceramic flange mount NI-780H-2L (Case 465-06, Style 1)
عدد الأطراف 3 (Drain, Gate, Source) —
نوع التركيب Flange / Chassis mount with bolt-down thermal pad Flanged / Screw-mount with ceramic body
Packaging Tape & Reel (suffix HR3) —
Technology Lateral DMOS (LDMOS) N-Channel LDMOS
حالة RoHS Compliant per Freescale/NXP material declaration Compliant (per NXP product page)
Device Type — RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
Operating Frequency Range — 1930 MHz to 1990 MHz
Output Power (P1dB, Avg) — 22 W (N-CDMA Average)
Power Gain — 16.1 dB (typical at 1.99 GHz)
Drain Voltage (Vds) — 28 V
Quiescent Drain Current (Idq) — 900 mA (typical)
Lead Style — Dual blade (HR3 suffix)
Operating Mode — Class AB (linear)
Target Applications — N-CDMA base station, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier, PCS/cellular radio, WLL

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر