MT29F4G08ABADAWP-IT:D vs MX30LF4G18AC-TI-T مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT29F4G08ABADAWP-IT:D بواسطة Micron Technology و MX30LF4G18AC-TI-T بواسطة Macronix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT29F4G08ABADAWP-IT:D MX30LF4G18AC-TI-T
العلامة التجارية Micron Technology Macronix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة FLASH - NAND (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
حجم الذاكرة 4 Gbit (512M x 8) —
Memory Organization 512M x 8 —
الواجهة Parallel (byte-wide, x8) Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time (tRC) 25 ns 20 ns (typical)
ONFI Version ONFI 2.1 —
العلبة / الحالة 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Page Size 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) 2048 byte + 64 byte spare area
Block Size 64 pages x 4 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Planes per Die 2 —
Endurance (P/E Cycles) 100,000 typical (SLC) [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Packaging Tray —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Density — 4 Gbit (512 Mbyte)
التنظيم — 512M x 8 bit
عرض ناقل البيانات — 8 bit
Required ECC — 4-bit ECC per 528-byte sector
Program Time (typical) — 300 us per page
Erase Time (typical) — 2 ms per block
Data Retention — 10 years
العلبة — 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر