MT40A1G16KNR-075-IT-E vs K4A8G165WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A1G16KNR-075-IT-E بواسطة Micron Technology و K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A1G16KNR-075-IT-E - 16Gb DDR4-2666 1Gx16 SDRAM | Micron
MT40A1G16KNR-075-IT-E Obsoleteمقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A1G16KNR-075-IT-E | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| التنظيم | 1G × 16 | — |
| Speed Grade | -075 (DDR4-2666, 2666 MT/s) | — |
| أقصى تردد للساعة | 1.33 GHz | — |
| CAS Latency Timing | 19 ns (CL19) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V nominal (1.14 V–1.26 V) | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Word VPP | 2.5 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 °C to +95 °C (Industrial) | -40C to +95C |
| العلبة | 96-ball FBGA (7.5 mm × 13.5 mm × 1.1 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Architecture | Dual-Die Package (DDP) | — |
| JEDEC Standard | JESD79-4 (DDR4) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| الواجهة | — | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| معدل البيانات | — | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |