MT40A1G16KNR-075-IT-E vs K4A8G165WB-BCRC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A1G16KNR-075-IT-E توسط Micron Technology و K4A8G165WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A1G16KNR-075-IT-E - 16Gb DDR4-2666 1Gx16 SDRAM | Micron
MT40A1G16KNR-075-IT-E Obsoleteمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A1G16KNR-075-IT-E | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | Obsolete | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| سازمان | 1G × 16 | — |
| Speed Grade | -075 (DDR4-2666, 2666 MT/s) | — |
| حداکثر فرکانس کلاک | 1.33 GHz | — |
| CAS Latency Timing | 19 ns (CL19) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V nominal (1.14 V–1.26 V) | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Word VPP | 2.5 V | — |
| دمای کاری | 0 °C to +95 °C (Industrial) | -40C to +95C |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (7.5 mm × 13.5 mm × 1.1 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Architecture | Dual-Die Package (DDP) | — |
| JEDEC Standard | JESD79-4 (DDR4) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| رابط | — | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| نرخ داده | — | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |