MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BIN مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16JY-07EAIT:B بواسطة Micron Technology و AS4C512M16D4A-62BIN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ نشطAlliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M16JY-07EAIT:B | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Alliance Memory |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | 8 Gbit |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| معدل البيانات | 2666 MT/s | 3200 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| الواجهة | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| العلبة | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +105°C (AIT grade) | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| جهد التغذية | — | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Lead Free | — | Yes |