MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M8RH-075E:B بواسطة Micron Technology و K4A4G085WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| معدل البيانات | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| نوع الواجهة | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| جهد المرجع | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| العلبة | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | — |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| الواجهة | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |