MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A512M8RH-075E:B מאת Micron Technology ו K4A4G085WD-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 8 | 512M x 8 |
| קצב נתונים | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| סוג ממשק | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| מתח ייחוס | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| מארז | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | — |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| ממשק | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |