MT40A512M8RH-083E vs H5AN4G8NBJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M8RH-083E بواسطة Micron Technology و H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M8RH-083E | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Industry Speed Grade | DDR4-2400 | — |
| Clock Rate | 1.2 GHz | — |
| Internal Banks | 8 banks (2 groups of 4) | — |
| Prefetch | 8n-bit | — |
| Refresh | 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| I/O Structure | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal, adjustable generation | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| FBGA Code | D9TGG | — |
| Marking Code | D9TGG | — |
| Data Strobe Preamble | Programmable | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| معدل البيانات | — | 2400 Mbps (PC2400) |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| الواجهة | — | DDR4 (JEDEC) |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |