MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-125:D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125:E بواسطة Micron Technology و MT41K256M16RE-125:D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ نشط
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-125:D
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
زمن الوصول CAS 13.75 ns 11
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
العلبة 96-FBGA (9x14 mm) FBGA-96 (9x14 mm)
عدد الدبابيس 96 —
نوع التركيب Surface Mount —
نطاق درجة حرارة التشغيل 0°C to +95°C (TC) —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
عرض ناقل البيانات 16 bits —
Logic Family CMOS —
جهد التغذية — 1.35 V
معدل البيانات — 1600 MT/s
درجة حرارة التشغيل — 0C to +95C (TC)
RoHS — Compliant
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر