MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-125:D مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT41K256M16HA-125:E توسط Micron Technology و MT41K256M16RE-125:D توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT41K256M16HA-125:E | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| تأخیر CAS | 13.75 ns | 11 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| بستهبندی | 96-FBGA (9x14 mm) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| تعداد پینها | 96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C (TC) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V |
| نرخ داده | — | 1600 MT/s |
| دمای کاری | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |