MT53E1G64D4HJ-046 vs H58G56AK6QX032N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT53E1G64D4HJ-046 بواسطة Micron Technology و H58G56AK6QX032N بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT53E1G64D4HJ-046 H58G56AK6QX032N
العلامة التجارية Micron Technology SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Mobile LPDDR4X SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gbit 32Gb (4GB)
التنظيم 1G x 64 512M x 64
الواجهة Parallel —
Clock Frequency 2.133 GHz —
Access Time 3.5 ns —
جهد التغذية 1.1 V / 1.8 V —
العلبة 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) FBGA-315
Package Style TFBGA, 556/841 ball, QDP —
درجة حرارة التشغيل -30C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
AEC-Q100 Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
معدل البيانات — 6400 Mbps per pin
Bus Width — x16 (x64 variant per sourcing data)
Core Voltage (VDD) — 0.5 V
I/O Voltage (VDDQ) — 0.5 V
Interface Voltage (VDD2) — 1.8 V / 1.05 V
Grade — Automotive
Applications — Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules
Standard — JEDEC LPDDR5
Reflow/MSL Rating — [DATA_NEEDED: MSL level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر