MT53E1G64D4HJ-046 vs H58G56AK6QX032N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT53E1G64D4HJ-046 द्वारा Micron Technology और H58G56AK6QX032N द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 ✓ सक्रिय
SK hynix
H58G56AK6QX032N H58G56AK6QX032N - 32Gb LPDDR5-6400 DRAM, Automotive | SK Hynix

H58G56AK6QX032N - 32Gb LPDDR5-6400 DRAM, Automotive | SK Hynix

H58G56AK6QX032N ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT53E1G64D4HJ-046 H58G56AK6QX032N
ब्रांड Micron Technology SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Mobile LPDDR4X SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 64 Gbit 32Gb (4GB)
संगठन 1G x 64 512M x 64
इंटरफ़ेस Parallel —
Clock Frequency 2.133 GHz —
Access Time 3.5 ns —
सप्लाई वोल्टेज 1.1 V / 1.8 V —
पैकेज 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) FBGA-315
Package Style TFBGA, 556/841 ball, QDP —
ऑपरेटिंग तापमान -30C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
AEC-Q100 Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
डेटा दर — 6400 Mbps per pin
Bus Width — x16 (x64 variant per sourcing data)
Core Voltage (VDD) — 0.5 V
I/O Voltage (VDDQ) — 0.5 V
Interface Voltage (VDD2) — 1.8 V / 1.05 V
Grade — Automotive
Applications — Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules
Standard — JEDEC LPDDR5
Reflow/MSL Rating — [DATA_NEEDED: MSL level]

डेटाशीट और संसाधन

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