N25Q256A13E12A0F vs N25Q032A13EV7A0 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q256A13E12A0F بواسطة Micron Technology و N25Q032A13EV7A0 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
N25Q256A13E12A0F N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F ✓ نشط
Micron Technology
N25Q032A13EV7A0 N25Q032A13EV7A0 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV7A0 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV7A0 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل N25Q256A13E12A0F N25Q032A13EV7A0
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Serial SPI NOR Flash (SPI)
Density 256 Mbit (32 MB) 32 Mbit (4 MB)
التنظيم 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note 8M x 4 die
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Max SPI Clock Frequency 108 MHz —
I/O Modes Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash) —
Technology SLC (Single-Level Cell) —
Sector Erase Size 4 KB —
العلبة 24-ball T-PBGA (6x8 mm) VDFPN8 (8-lead MLP8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Access Time 8 ns (per FindIC listing) [DATA_NEEDED: read access time]
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (tray options may exist)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention years] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby current] —
الواجهة — SPI
Max Clock Frequency — 108 MHz
Memory Format — Flash (NOR)
Write Cycle Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Program/Erase Modes — Page program, sector erase, bulk erase
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر