N25Q256A13E12A0F vs N25Q032A13EV7A0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma N25Q256A13E12A0F tarafından Micron Technology ve N25Q032A13EV7A0 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | N25Q256A13E12A0F | N25Q032A13EV7A0 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | EEPROM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash, Serial SPI | NOR Flash (SPI) |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | 32 Mbit (4 MB) |
| Organizasyon | 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note | 8M x 4 die |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Max SPI Clock Frequency | 108 MHz | — |
| I/O Modes | Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash) | — |
| Technology | SLC (Single-Level Cell) | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | — |
| Paket | 24-ball T-PBGA (6x8 mm) | VDFPN8 (8-lead MLP8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Access Time | 8 ns (per FindIC listing) | [DATA_NEEDED: read access time] |
| RoHS Durumu | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tape & Reel (tray options may exist) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention years] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ICC standby current] | — |
| Arayüz | — | SPI |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Memory Format | — | Flash (NOR) |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Program/Erase Modes | — | Page program, sector erase, bulk erase |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL] |