NT5CC256M16CN-FLH vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16CN-FLH بواسطة Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLH NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH ✓ نشط
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل NT5CC256M16CN-FLH K4B4G1646E-BYMA
العلامة التجارية Nanya Technology Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $14.32
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb (256M x 16) 4 Gb
جهد التغذية 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
معدل البيانات 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Interface 16-bit —
Internal Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
زمن الوصول CAS 13, 12, 11, 10, 9 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
العلبة 96-ball FBGA FBGA-96
نطاق درجة حرارة التشغيل 0°C to +95°C (TC) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Supported —
On-Die Termination (ODT) Supported —
ZQ Calibration Supported —
التنظيم — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
درجة حرارة التشغيل — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
نوع التركيب — Surface Mount
عدد الدبابيس — 96

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر