NT5CC256M16CN-FLH vs K4B4G1646E-BYMA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CN-FLH द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLH NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CC256M16CN-FLH K4B4G1646E-BYMA
ब्रांड Nanya Technology Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $14.32
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb (256M x 16) 4 Gb
सप्लाई वोल्टेज 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
डेटा दर 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Interface 16-bit —
Internal Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
CAS लेटेंसी 13, 12, 11, 10, 9 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
पैकेज 96-ball FBGA FBGA-96
ऑपरेटिंग तापमान रेंज 0°C to +95°C (TC) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Supported —
On-Die Termination (ODT) Supported —
ZQ Calibration Supported —
संगठन — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
पिन की संख्या — 96

डेटाशीट और संसाधन

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