NT5CC256M16CN-FLH vs K4B4G1646E-BYMA 比較

詳細並排比較 NT5CC256M16CN-FLH 由 Nanya Technology 與 K4B4G1646E-BYMA 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLH NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH ✓ 啟用中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CC256M16CN-FLH K4B4G1646E-BYMA
品牌 Nanya Technology Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $14.32
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb (256M x 16) 4 Gb
供應電壓 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
資料速率 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Interface 16-bit —
Internal Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
CAS 延遲 13, 12, 11, 10, 9 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
封裝 96-ball FBGA FBGA-96
工作溫度範圍 0°C to +95°C (TC) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Supported —
On-Die Termination (ODT) Supported —
ZQ Calibration Supported —
組織 — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
工作溫度 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
安裝類型 — Surface Mount
腳位數 — 96

資料表與資源

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