NT5CC256M16CN-FLH vs K4B4G1646E-BYMA השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CC256M16CN-FLH מאת Nanya Technology ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLH NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר NT5CC256M16CN-FLH K4B4G1646E-BYMA
מותג Nanya Technology Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $14.32
סוג זיכרון DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb (256M x 16) 4 Gb
מתח אספקה 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
קצב נתונים 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Interface 16-bit —
Internal Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
השהיית CAS 13, 12, 11, 10, 9 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
מארז 96-ball FBGA FBGA-96
טווח טמפרטורת פעולה 0°C to +95°C (TC) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Supported —
On-Die Termination (ODT) Supported —
ZQ Calibration Supported —
ארגון — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
טמפרטורת פעולה — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
סוג הרכבה — Surface Mount
מספר פינים — 96

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר