NT5CC256M16CN-FLH vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16CN-FLH توسط Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLH NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLH ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر NT5CC256M16CN-FLH K4B4G1646E-BYMA
برند Nanya Technology Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $14.32
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb (256M x 16) 4 Gb
ولتاژ تغذیه 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
نرخ داده 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Interface 16-bit —
Internal Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
تأخیر CAS 13, 12, 11, 10, 9 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
بسته‌بندی 96-ball FBGA FBGA-96
محدوده دمای کاری 0°C to +95°C (TC) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Supported —
On-Die Termination (ODT) Supported —
ZQ Calibration Supported —
سازمان — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
دمای کاری — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
نوع نصب — Surface Mount
تعداد پین‌ها — 96

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت