PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BIQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ PDRQLAKCDF12-00 بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH165VB-BIQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| التنظيم | 1G x 16 | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 7200 Mbps per pin | 4800 Mbps (MT/s) |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| العلبة | 102-ball FBGA | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | — |
| الواجهة | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| DLL Enabled Mode | — | Yes (spec mode per datasheet) |
| العلامة التجارية | — | Samsung Semiconductor |