PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BIQK مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ PDRQLAKCDF12-00 بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ نشط
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل PDRQLAKCDF12-00 K4RAH165VB-BIQK
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
التنظيم 1G x 16 1G x 16
معدل البيانات 7200 Mbps per pin 4800 Mbps (MT/s)
Speed Bin DDR5-7200 —
Operating Voltage 1.1 V —
العلبة 102-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
نوع التركيب Surface Mount —
Generation DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) —
الواجهة JEDEC DDR5 —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
tCK / Cycle Time [DATA_NEEDED: clock cycle time] —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-Die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
العلامة التجارية — Samsung Semiconductor

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر