PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BIQK השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של PDRQLAKCDF12-00 מאת Samsung Electronics ו K4RAH165VB-BIQK מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר PDRQLAKCDF12-00 K4RAH165VB-BIQK
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
ארגון 1G x 16 1G x 16
קצב נתונים 7200 Mbps per pin 4800 Mbps (MT/s)
Speed Bin DDR5-7200 —
Operating Voltage 1.1 V —
מארז 102-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
סוג הרכבה Surface Mount —
Generation DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) —
ממשק JEDEC DDR5 —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
tCK / Cycle Time [DATA_NEEDED: clock cycle time] —
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-Die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
מותג — Samsung Semiconductor

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר