PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BIQK Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma PDRQLAKCDF12-00 tarafından Samsung Electronics ve K4RAH165VB-BIQK tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre PDRQLAKCDF12-00 K4RAH165VB-BIQK
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
Organizasyon 1G x 16 1G x 16
Veri Hızı 7200 Mbps per pin 4800 Mbps (MT/s)
Speed Bin DDR5-7200 —
Operating Voltage 1.1 V —
Paket 102-ball FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
Montaj Türü Surface Mount —
Generation DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) —
Arayüz JEDEC DDR5 —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
tCK / Cycle Time [DATA_NEEDED: clock cycle time] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-Die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
Marka — Samsung Semiconductor

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin