SRVBS260NT3G vs SS0530_R1_00001 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ SRVBS260NT3G بواسطة onsemi و SS0530_R1_00001 بواسطة Panjit. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل SRVBS260NT3G SS0530_R1_00001
العلامة التجارية onsemi Panjit
الفئة Diodes Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer onsemi Panjit International Inc.
Product Type Schottky Power Rectifier (single diode) —
العلبة SMB (surface mount, C-bend leads) SOD-123
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Reverse Test Voltage (VRRM) 60 V —
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) 2 A —
Maximum Forward Voltage (VF) 0.63 V at 2 A —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Peak Reflow Temperature 260 C —
Terminal Form C BEND —
Terminal Position DUAL —
Number of Terminals 2 —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Finish Matte Tin —
حالة RoHS Compliant Compliant
Diode Technology Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact) —
Diode Type — Schottky Barrier Diode (SBD)
Configuration — Single, 1 Phase, 1 Element
Reverse Voltage (VRRM) — 30 V
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) — 500 mA
Forward Voltage Drop (VF) — 430 mV @ 500 mA
عدد الأطراف — 2
Forward Surge Current (IFSM) — [DATA_NEEDED: IFSM]
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: IR at rated VR]
Reverse Recovery Time (trr) — [DATA_NEEDED: trr]
Packaging — Tape & Reel
Technology — Schottky (metal-semiconductor junction)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر