UCC21710QDWRQ1 vs UCC21540QDWKRQ1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21710QDWRQ1 بواسطة Texas Instruments و UCC21540QDWKRQ1 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21710QDWRQ1 UCC21540QDWKRQ1
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $2.74 $2.21
الوظيفة Single-channel isolated gate driver —
Isolation Technology SiO2 capacitive coupling —
Isolation Rating (rms) 5.7 kVrms (reinforced) —
Working Voltage (rms) 1.5 kVrms —
Peak Source Current +10 A 4 A
Peak Sink Current -10 A 6 A
Target Switches SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs —
Propagation Delay (typ.) 60 ns —
CMTI (min.) 100 V/ns —
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) 12.8 V to 18 V —
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) 3 V to 5.5 V —
Protection Features DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off —
العلبة 16-SOIC (DW) wide-body 14-SOIC (DWK)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Number of Channels — 2
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)
درجة حرارة التشغيل — Wide temperature range (automotive)
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر