UCC21710QDWRQ1 vs UCC21540QDWKRQ1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21710QDWRQ1 tarafından Texas Instruments ve UCC21540QDWKRQ1 tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
UCC21710QDWRQ1 UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 - ±10A Isolated Gate Driver | TI | Automotive

UCC21710QDWRQ1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21710QDWRQ1 UCC21540QDWKRQ1
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $2,74 $2,21
Fonksiyon Single-channel isolated gate driver —
Isolation Technology SiO2 capacitive coupling —
Isolation Rating (rms) 5.7 kVrms (reinforced) —
Working Voltage (rms) 1.5 kVrms —
Peak Source Current +10 A 4 A
Peak Sink Current -10 A 6 A
Target Switches SiC MOSFETs up to 1700 V, IGBTs —
Propagation Delay (typ.) 60 ns —
CMTI (min.) 100 V/ns —
Output Supply Voltage (VCC2/VEE2) 12.8 V to 18 V —
Input Supply Voltage (VDD/VCCI) 3 V to 5.5 V —
Protection Features DESAT, Miller clamp, UVLO, FLT, soft turn-off —
Paket 16-SOIC (DW) wide-body 14-SOIC (DWK)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +150 C —
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Number of Channels — 2
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)
İşletim Sıcaklığı — Wide temperature range (automotive)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin