ULN2803APG vs ULN2803APGOM مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ULN2803APG بواسطة Toshiba و ULN2803APGOM بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ULN2803APG ULN2803APGOM
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Number of Channels 8 8
نوع الترانزستور 8x NPN Darlington Pairs 8x NPN Darlington (open-collector sink)
Configuration Common-emitter, 8-channel sink driver —
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 50 V 50 V
Continuous Collector Current (per channel) 500 mA —
Package Power Dissipation 760 mW (DIP-18) —
DC Current Gain (hFE) Typical > 1000 (Darlington) 2000 typ at low IC (Darlington cascade)
Input Base Resistor 2.7 kOhm 2.7 kOhm (5 V CMOS-compatible)
Logic Input Compatibility 5 V CMOS / TTL —
Clamp Diodes Integral free-wheeling diodes on each output Integral free-wheeling diodes on all 8 channels
درجة حرارة التشغيل -40C to +85C —
نوع التركيب Through-Hole Through Hole (THT)
العلبة DIP-18 (0.300 inch, 7.62 mm) PDIP-18 (DIP-18, 300 mil, through-hole)
عدد الأطراف 18 —
حالة RoHS Compliant —
Continuous Collector Current (IC) — 500 mA per channel
Peak Collector Current (ICP) — [DATA_NEEDED: peak collector current per channel]
Total Package Dissipation (PD) — 2.25 W at 25 C ambient
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +85 C
Storage Temperature Range — -55 C to +150 C
مستوى MSL — Not applicable (through-hole)
Lead-Free / RoHS Status — Compliant (verify per lot)
Manufacturer — Toshiba
Marking Suffix — (O,M) indicates Toshiba factory packaging/tray code

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر