BSC009NE2LS5IATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC009NE2LS5IATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC009NE2LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 0.9mOhm | Infineon

BSC009NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 0.9mOhm | Infineon

BSC009NE2LSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Part Number BSC009NE2LS5IATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 5 (25V/30V family) MOSFET (Metal Oxide)
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Configuration Single with built-in diode —
Drain-Source Voltage (V_DS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max 20 V —
Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ 1.7 V (range 1.0-2.0 V) —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.95 mΩ —
Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C 40 A —
Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C 217 A (pulsed, datasheet rating) —
Power Dissipation (P_D) @ T_A 2.5 W —
Power Dissipation (P_D) @ T_C 74 W —
Total Gate Charge (Q_G) typ 23 nC @ V_GS=0-4.5V —
Input Capacitance (C_iss) typ 3200 pF —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C -55C to +150C (TJ)
প্যাকেজ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Terminal Finish Matte Tin (e3 per JESD-609) —
Number of Terminals 8 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_a — 41 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_c — 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey)
Pulsed Drain Current (I_DM) — 255 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation (T_a) — 2.5 W
Power Dissipation (T_c) — 96 W
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
প্যাকেজ / কেস — PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL)
পিন সংখ্যা — 8

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট