BSC011N03LSIATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC011N03LSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC027N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon

BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon

BSC011N03LSIATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC027N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC011N03LSIATMA1 BSC027N04LSGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 30 V OptiMOS 3
Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 °C to +150 °C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) — 83 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট