BSC011N03LSIATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC011N03LSIATMA1 מאת Infineon ו BSC027N04LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC011N03LSIATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 30 V | OptiMOS 3 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.1 mΩ (typical) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 96 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +150 °C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| פיזור הספק (TC=25°C) | — | 83 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +150°C |
| Technology | — | OptiMOS 3 (Trench) |
| נטול הלוגנים | — | Yes |