BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC022N04LS6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC023N08NS5SCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| প্যাকেজ | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |