BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC023N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |