BSC030N03MSGATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC030N03MSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC042NE7NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC030N03MSGATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55°C to +150°C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C
MSL লেভেল — 1

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট