BSC030N03MSGATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC030N03MSGATMA1 bằng Infineon và BSC042NE7NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC030N03MSGATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3M | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 A | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25°C | 69 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55°C to +150°C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | 4.5V / 10V | — |
| Status | Active | — |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Cấp MSL | — | 1 |